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微电子封装材料 |
| 作为电子元器件的一个重要组成部分,为电子元器件性能的提高和正常工作提供扎实的基础。而电子元器件是信息产业的重要基础,尤以微电子为核心技术,其中封装、设计及圆片制造已成为微电子技术的三个有机组成部分。在半导体微波功率器件的封装中,W/Cu、Al/SiC等电子封装材料具有优良的热导率和可调节的热膨胀系数(CTE),目前是国内外大功率电子元器件首选的封装材料,并能与Beo、Al203陶瓷相匹配,广泛用于微波、通信、射频、航空航天、电力电子、大功率半导体激光器、医疗等行业。高密度封装已成为电子技术的发展方向,随着硅芯片等元件集成度的提高,单位面积上的功率负荷越来越大,热导率和热膨胀系数(CTE)匹配等方面的考虑也就越来越重要。W/Cu、Al/SiC材料不仅热导率高,而且热膨胀系数与硅等半导体材料匹配的很好,加上优异的耐高温性能、良好的可加工性能、适中的密度和绝佳的气密性,应用范围十分的广泛。 |
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薄膜电路 |
| 是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜,并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件,即晶体管,有两种材料结构形式:一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管,另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺,即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线,再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式,就可以组装成一块完整的集成电路。 |
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